背景介绍

近年来，手机快充的普及给人们工作和生活带来了极大的方便，随着快充技术的迅速发展，更快速度、更小体积的充电器逐渐成为人们的一种新需求，而对于各大充电器厂商来说，大功率、高效率、小体积、安全稳定的高功率密度快充方案将成为这场战役中的制胜关键。在传统以及准谐振反激形式应用中，由于MOS导通时的电压较高（基本都在150V以上），特别是高压的输入条件下，会有较高的开关损耗及DI/Dt造成的EMI干扰，影响系统效率及EMI特性。直到ZVS反激式快充方案的出现，很好的解决了这些痛点。为了适应快充市场发展新需求，亚成微通过不断研究改进，成功推出了ZVS反激式架构的开关电源控制芯片RM6801X 以及 QR/CCM反激电源控制芯片RM6601X...

【强制ZVS反激式电源控制芯片RM6801X】
 

芯片优势

【高效率、大功率】

■ 专有ZVS技术降低MOSFET开关损耗，改善EMI特性；

■ 支持CCM/QR混合模式；

■ 支持最大140KHz工作频率；

■ 支持最大功率120W；

■ 兼顾E-Mode GaN FET及超结MOSFET（COOLMOS）驱动设计，可直接驱动E-Mode GaN功率器件，省去外置驱动器件。

【超低待机功耗】

■ 内置700V高压启动；
■ 集成X-CAP放电功能；
■ 低启动电流（2uA），低工作电流；
■ 待机功耗<65mW。
 

【优异的性能】

■ 内置特有抖频技术改善EMI；
■ Burst Mode去噪音；
■ 集成斜坡补偿及ZVS高低压补偿功能；
■ 集成AC输入Brown out/in功能；
■ 外置OVP保护，具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；
■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。

原理图




产品DEMO（尺寸：55mm×30mm×25mm）



【QR/CCM反激式电源控制芯片RM6601X】

芯片优势
 

【高效率、大功率】

■ 支持CCM/QR混合模式；

■ 支持最大140KHz工作频率；

■ 支持最大功率120W；

■ 兼顾E-Mode GaN FET及超结MOSFET（COOLMOS）驱动设计，可直接驱动E-Mode GaN功率器件，省去外置驱动器件。

【超低待机功耗】

■ 内置700V高压启动；
■ 集成X-CAP放电功能；
■ 低启动电流（2uA），低工作电流；
■ 待机功耗<65mW。
 

【优异的性能】

■ 内置特有抖频技术改善EMI；
■ Burst Mode去噪音；
■ 集成斜坡补偿及ZVS高低压补偿功能；
■ 集成AC输入Brown out/in功能；
■ 外置OVP保护，具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；
■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。

原理图




产品DEMO（尺寸：55mm×30mm×25mm）


产品系列




大功率快充方案选型

【一】高性能、低功耗 60W GaN快充方案 RM6801SN+RM3410T（点击查看详细方案）




【二】高精简、低成本 65W 氮化镓（GaN）快充方案RM6601SN+RM3410T（点击查看详细方案）