高性能、低功耗60W GaN快充方案 RM6801SN+RM3410T

 

1.方案介绍

亚成微基于ZVS反激电源控制芯片RM6801SN+高性能同步整流芯片RM3410T的高性能、低功耗60W 氮化镓（GaN）快充方案，具有体积小、效率高（效率Max >93%）、待机功耗低（功耗<60mW）、系统功能完备等特点。方案采用亚成微专有ZVS技术降低GaNFET开关损耗，改善EMI特性。专有驱动技术，直驱E-MODE GaN功率器件，省去外置驱动器件，并通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合，实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局，有效的提高了产品效率及功率密度，帮助快充电源厂商加速高性能大功率快充量产并节省物料成本。


2.方案特点

■ 输出规格：5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3A；

■ 效率(Max)>93%，待机功耗<60mW，满足六级能效标准，EMI特性优良；

■ 专有ZVS技术降低MOSFET开关损耗，改善EMI特性；

■ 采用专有驱动技术，直驱E-MODE GaN功率器件，省去外置驱动器件，提高产品效率及功率密度；

■ 支持CCM/QR混合模式；

■ 支持最大140KHz工作频率；

■ 内置700V高压启动，集成X-CAP放电功能；

■ 低启动电流和低工作电流设计；

■ 内置特有抖频技术改善EMI；

■ Burst Mode去噪音；

■ 集成斜坡补偿及ZVS高低压补偿功能；

■ 集成AC输入Brown out/in功能；

■ 外置OVP保护，具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；

■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。

3.方案原理图




4.方案BOM



5.待机功耗






6.能效测试

5V/3A能效测试




9V/3A能效测试




12V/3A能效测试




15V/3A能效测试




20V/3A能效测试




7.老化及温升测试




8.ZVS测试




9.EMI测试

5V/3A（L）




5V/3A（N）





20V/3A（L）




20V/3A（N）