亚成微30W A+C双口  氮化镓（GaN）功率集成快充方案，是基于氮化镓功率集成电源芯片RM6604NDL + 高性能同步整流控制芯片RM3405SH 芯片组合，通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合，实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局，具有高效率、小体积、低成本等特点，可有效帮助快充电源厂商加速中小功率快充量产并节省物料成本。



 

1.方案DEMO（尺寸：40mm×31mm×20mm）

芯片介绍：
主控采用亚成微氮化镓功率集成芯片RM6604NDL
次级芯片采用亚成微高性能同步整流芯片RM3405SH
 

氮化镓功率集成电源芯片RM6604NDL

■ 支持 CCM/QR 混合模式
■ 内置 650V GaN HEMT
■ 内置 700V 高压启动
■ 特有抖频技术改善 EMI；Burst Mode 去噪音
■ 低启动电流（2uA）和低工作电流
■ 集成斜坡补偿
■ 集成输入 Brown out/in 功能
■ 外置 OVP 保护
■ 具有输出肖特基短路保护/CS 短路保护
■ 内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护
■ 采用DFN5*6封装

高性能同步整流控制芯片RM3405SH

 

■ 输出电压直接供给VCC

■ CCM操作的快速驱动程序功能

■ 工作频率200KHz

■ 驱动抗干扰功能

■ 采用SOP8 封装
 

2.方案原理图






3.待机功耗






4.能效测试






5.纹波测试








6.温升测试

7.传导测试
 

230V输入

20V/1.5A（L）测试结果

230V输入

20V/1.5A（N）测试结果