亚成微25W 氮化镓（GaN）功率集成快充方案，是基于氮化镓功率集成电源芯片RM6604NDL + 超快关断同步整流控制芯片RM3434SA + 协议芯片RM6602T芯片组合，通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合，实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局，具有体积小、性能强、功耗低等特点，满足低成本、高效率、高可靠性小型化快充电源需求。



 

1.方案DEMO（尺寸：34mm×30mm×23mm）

芯片介绍：
主控采用亚成微氮化镓功率集成芯片RM6604NDL
次级芯片采用亚成微超快关断同步整流芯片RM3434SA
协议芯片采用亚成微RM6602T

方案特点：
 

■ 支持 CCM/QR 混合模式
■ 内置 650V GaN HEMT
■ 内置 700V 高压启动
■ 特有抖频技术改善 EMI；Burst Mode 去噪音
■ 低启动电流（2uA）和低工作电流
■ 集成斜坡补偿及 ZVS 高低压补偿
■ 集成 AC 输入 Brown out/in 功能
■ 外置 OVP 保护
■ 具有输出肖特基短路保护/CS 短路保护
■ 内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护
■ 采用DFN5*6封装

2.方案原理图







3.待机功耗






4.能效测试







5.温升测试

6.传导测试
 

230V输入

5V/3A（L）测试结果

230V输入

5V/3A（N）测试结果

230V输入

9V/2.77A（L）测试结果 

230V输入

9V/2.77A（N）测试结果