芯片概述

RM66040ND内部采用我司自主研发封装技术，芯片内部集成CCM/QR反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等，支持最大36W快充，具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点，满足快充电源小型化设计要求。此外，芯片采用DFN5*6封装，成本更为优异。

RM6604ND 集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频 130Khz 的 PWM 模式下，在低压输入时会进入 CCM 模式；在重载情况下，系统工作在 QR 模式，以降低开关损耗，同时结合 PFM工作模式提高系统效率；RM6604ND 采用专有的驱动技术，搭配高压 GaNFET 功率器件改善 EMI 设计；在轻载或空载情况下，系统工作在 Burst Mode 模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6604ND 本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善 EMI。

RM6604ND 同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括 VCC OVP，内置 OTP，外置 OVP，欠压锁定（uvlo),逐周期过流保护 OCP，过载保护（OLP），CS 短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿。

功能特点
 

■ 内置 700V 高压启动；

■ 内置 650V GaNFET；  支持最大 130KHz 工作频率；

■ 内置特有抖频技术改善 EMI；  Burst Mode 去噪音；
■ 低启动电流（2uA），低工作电流；
■ 集成斜坡补偿；
■ 集成输入 Brown out/in 功能；

■ 外置 OVP 保护；

■ 具有输出肖特基短路保护/CS 短路保护；

■ 内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护。

原理图

产品系列