芯片特点
 

高效率、大功率

■支持CCM/QR混合模式；

■支持最大130KHz工作频率；

■RM6601ND采用专有驱动技术，可直驱 E-mode GaN FET

超低待机功耗

■ 内置700V高压启动；

■ 集成X-CAP放电功能；

■ 低启动电流（2uA），低工作电流；

■ 待机功耗<65mW。

优异的性能

■ 内置特有抖频技术改善EMI；

■ Burst Mode去噪音；

■ 集成斜坡补偿及高低压功率补偿功能；

■ 集成AC输入Brown out/in功能；

■ 外置OVP保护，具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；

■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。


原理图


产品图

产品系列