芯片概述

RM6801SQ是一款采用3D封装技术的高性能、高可靠性、高集成度电流控制型PWM开关控制芯片，内部集成了ZVS反激式PWM控制器、氮化镓驱动器以及高压启动管，最大输出功率120W，具有高效率、高通流、高导热率等特点。

RM6801SQ全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式，专有ZVS技术降低GaNFET开关损耗,提高产品效率及功率密度，改善产品EMI。芯片集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频130Khz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在高压重载情况下，系统工作在QR模式，并采用专有ZVS技术，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率；RM6801SQ采用专有的驱动技术，易于搭配Emode GaN功率器件改善EMI设计；在轻载或空载情况下，系统工作在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6801SQ本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。

RM6801SQ同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCC OVP，内置OTP，外置OVP，欠压锁定（uvlo),逐周期过流保护OCP，过载保护（OLP），CS短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿和ZVS线电压补偿。

功能特点
 

■ 专有ZVS技术；

■ 内置700V高压启动；

■ 集成X-CAP放电功能；

■ 支持最大130KHz工作频率；

■ 内置特有抖频技术改善EMI；

■ Burst Mode去噪音；

■ 低启动电流（2uA），低工作电流；

■ 集成斜坡补偿及ZVS高低压补偿；

■ 集成AC输入Brown out/in功能；

■ 外置OVP保护；

■ 具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；

■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护

原理图


产品图

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